深圳市至信微电子有限公司，一家专注于碳化硅功率器件研发的高科技公司，近日宣布完成了数千万元A轮融资。本轮融资由国资和产业方主导，包括深智城产投、正景资本以及老股东前海扬子江基金、太和基金共同投资。这笔资金将主要用于加速公司产品研发、团队扩建以及市场拓展。

至信微电子自2021年成立以来，一直致力于碳化硅功率器件的研发。公司的主打产品为碳化硅MOSFET及模组等系列产品，已在光伏、新能源汽车、工业等领域得到客户认可。

公司团队由来自华润微、意法半导体等世界知名半导体企业的资深人士组成，具有强大的产业资源及行业背景。创始人张爱忠先生是国内著名的功率半导体专家，其团队是国内最早开始研究碳化硅设计与工艺技术的团队，拥有业界领先的芯片设计技术及完善的工艺技术。因此，作为无晶圆芯片设计公司，至信微在器件设计端就充分考虑了在晶圆制造工艺端和封测端将遇到的影响产品良率的因素。

在产品层面，至信微的1200V（80mΩ/40mΩ）产品经过多次迭代，整体测试性能可比肩国际巨头。在2023年6月的“第二届中国·南沙国际集成电路产业论坛”上，至信微发布了主要应用于电动汽车主驱模块的1200v／16mΩ碳化硅MOSFET，该产品单位面积比导通电阻RSP达到惊人的2.8mΩ∙cm2，跻身国际先进水平，客户反馈良好。

公司坚持技术引领，自主研发并与碳化硅MOSFET晶圆厂合作开发出高可靠性的碳化硅产品。公司产品参数达到全球领先水平，并且一次流片成功，充分体现出公司在碳化硅领域的技术优势。同时，至信微的碳化硅MOSFET量产良率超过90%，业内领先。

在供应链层面，至信微选择可靠的上游合作伙伴，与其形成稳定合作关系，同时采用先进设备及工艺制程，致力于为行业提供最优质的碳化硅功率器件。迄今为止，至信微的碳化硅MOSFET流片均一次性成功，量产良率业内领先，受到了上游合作伙伴及下游客户的广泛好评。良品率高达85%。

值得注意的是，此次新品1200v／16mΩ碳化硅MOSFET产品良率高达85%，属于行业翘楚。同时单位面积比导通电阻RSP达到惊人的2.8mΩ∙cm2，跻身国际先进水平。既实现了产品高性能参数，又维持了该公司一贯以来的所有产品均一次性流片成功的优秀记录，令人称赞。究其原因是至信微一贯秉承“设计前移”的设计哲学。王仁震先生表示，至信微作为无晶圆芯片设计公司，在器件设计端就深度考虑了从晶圆制造工艺端和封测端或将遇到的影响产品良率的因素。传统芯片设计行业常采用“DFT”方式，即Design For Test（可测性设计）；而至信微则更进一步延伸至“DFY”，也即Design For Yield（高良率设计）。从芯片制造上游环节就把控好产品良率。

事实上“设计前移”并非易事。王仁震先生表示，想达到在设计端把控好产品良率，核心是要有研发能力强、经验丰富的设计工程师。设计人员不但对器件底层结构和应用场景要有足够了解，对工艺流程的各环节也需有深度理解。

据了解，至信微芯片设计工程师多来自优秀功率器件厂商，拥有多年设计功率器件经验。值得一提的是，至信微董事长张爱忠从2011年就开始从事碳化硅相关的设计和研发工作，并在当年华润微成立的专门研究宽禁带化合物半导体的“设计二室”担任主任。经过多年持续不断的研究，至信微研发团队在碳化硅领域有了极其深厚技术经验的积累，在拥有成熟的工艺流程下产品良品率一直走在行业头部。

总的来说，至信微提升产品良率的法宝是：

1. 优选材料：材料是基础，是一切良率的起始。对于可靠性要求更高的车规级芯片原材料采购，目前暂时需要选择品质较好的国际知名品牌衬底和外延；

2. 针对设计：器件版图设计需要考虑工艺环节情况，提前进行预测规划；规避可能发生的失效与错误，降低未知因素产生的影响，尽可能减少缺陷出现的概率；

3. 优化工艺：设计前需要详细了解核心工艺参数、工艺流程与工艺窗口的设计，深入了解各项工艺设定背后的考量之处，必要时需要对各项设定作出特定的修改与优化；

4. 稳定产线：与产线深度合作，适配好稳定的设备、受控的工艺制程和训练有素的操作人员。

5. 采用本土碳化硅衬底企业产品：为保证产品良品率，至信微在原材料碳化硅衬底的采购更是谨慎，车规级1200v／16mΩ碳化硅MOSFET产品采用Wolfspeed和II-VI公司的衬底材料为主。和一般的消费电子类芯片相比，车规级芯片要求更为严苛：
   a. 使用寿命：汽车不属于消耗品，从落地到最终使用结束，大部分时间都在10年以上，要求芯片的使用寿命相匹配；
   b. 稳定性：汽车行驶道路上存在着不确定因素，车规级芯片在设计时需要考虑行驶过程中会遇到碰撞、抖动等情况对芯片的影响，以及长时间使用电路老化造成的干扰问题；
   c. 芯片工作耐温能力：普通汽车标准芯片的耐温范围在-40℃到150℃之间。

王仁震先生表示，目前至信微衬底和外延材料会选择一些已经被证明产品稳定的企业。当然，当下国内已涌现出一批新兴碳化硅衬底及外延材料公司，他们检测与试制的结果均表明与国际品牌差距日益变小。至信微也已逐步计划使用本土碳化硅企业材料产品。

王仁震先生分析道：“国内新兴碳化硅衬底公司，产品想要进入整车厂，首先测试认证是一个漫长的过程；其次是车型周期较长。令人欣慰的是国内做碳化硅衬底的公司例如天岳先进、天科合达与国际先进厂商距离逐步缩小；近日两家公司都通过英飞凌等企业的验证其产品已经得到先进厂商的认可。”

浅聊一下技术，碳化硅功率器件是一个近年来备受关注的研究领域。我将详细介绍碳化硅功率器件的科研历史和技术细节：

碳化硅功率器件的研究可以追溯到20世纪80年代。1989年，北卡罗来纳州立大学的B. Jayant Baliga首次描述了将SiC用于电力电子设备的好处。他在通用电气期间发明了IGB（绝缘栅双极晶体管）。Baliga得出了一个称为BHFFOM的品质因数，该品质因数表明可以通过使用具有更大迁移率和更高临界击穿场的半导体（例如SiC甚至钻石）来减少功率损耗。

在随后的几十年里，碳化硅功率器件的研究取得了长足的进步。例如，约翰·帕尔默在1987年在北卡罗莱纳州的三角研究园共同创立了Cree，并申请了一项重要的专利，导致了SiC基MOSFET晶体管的发明。

碳化硅功率器件本质上是一个结型场效应晶体管，其源极/漏极触点形成到N型沟道。由于碳化硅的禁带宽度、临界击穿场强优越于硅2-10倍，所以它比较适合高频的应用。具体来说，碳化硅功率器件具有以下优点：

1. 开关损耗、导通损耗小。

2. 工作温度比较高，理论上可以超过200度。

3. 可以做一些比较高压的器件，可以做10kV以上的器件。

此外，碳化硅的迁移率较高，因此可以获得更快的开关速度。同时，由于碳化硅的能隙较大，因此其具有更高的临界击穿场强，使得碳化硅器件可以在更高的电压和温度下运行。

在制造碳化硅功率器件时，需要使用高质量的碳化硅材料和先进的工艺技术。通常，碳化硅功率器件需要经过外延生长、制绒、氮化处理、金属化等工艺流程。此外，由于碳化硅的硬度较高，因此需要使用特殊的切割和研磨技术来处理碳化硅材料。

与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有更高的运行速度和更高的可靠性。此外，由于碳化硅功率器件可以在更高的温度下运行，因此它可以减少散热器的使用，从而减小了整个系统的体积和重量。这些优点使得碳化硅功率器件在许多应用中都优于硅功率器件。

然而，碳化硅功率器件的价格较高，这在一定程度上限制了其应用范围。此外，由于碳化硅的硬度较高，制造工艺较为复杂，因此其生产成本也较高。尽管如此，随着技术的不断进步和生产规模的扩大，碳化硅功率器件的价格有望逐渐降低。随着电力电子技术的发展，碳化硅功率器件将会在未来发挥更加重要的作用。

【项目概要】

1. 深圳市至信微电子有限公司是一家专注于碳化硅功率器件研发的高科技公司，近日完成了数千万元A轮融资。本轮融资由国资和产业方主导，包括深智城产投、正景资本以及老股东前海扬子江基金、太和基金共同投资。

2. 至信微电子自成立以来一直致力于碳化硅功率器件的研发，其主打产品为碳化硅MOSFET及模组等系列产品，已在光伏、新能源汽车、工业等领域得到客户认可。

3. 公司团队由来自华润微、意法半导体等世界知名半导体企业的资深人士组成，创始人张爱忠先生是国内著名的功率半导体专家。

4. 至信微的1200V（80mΩ/40mΩ）产品经过多次迭代，整体测试性能可比肩国际巨头。

5. 在2023年6月的“第二届中国·南沙国际集成电路产业论坛”上，至信微发布了主要应用于电动汽车主驱模块的1200v／16mΩ碳化硅MOSFET，该产品单位面积比导通电阻RSP达到惊人的2.8mΩ∙cm2，跻身国际先进水平。

6. 至信微坚持技术引领，自主研发并与碳化硅MOSFET晶圆厂合作开发出高可靠性的碳化硅产品。公司产品参数达到全球领先水平，并且一次流片成功，充分体现出公司在碳化硅领域的技术优势。

7. 至信微选择可靠的上游合作伙伴，与其形成稳定合作关系，同时采用先进设备及工艺制程，致力于为行业提供最优质的碳化硅功率器件。

8. 至信微在器件设计端就深度考虑了从晶圆制造工艺端和封测端或将遇到的影响产品良率的因素。传统芯片设计行业常采用“DFT”方式，即Design For Test（可测性设计）；而至信微则更进一步延伸至“DFY”，也即Design For Yield（高良率设计）。从芯片制造上游环节就把控好产品良率。

9. 至信微董事长张爱忠从2011年就开始从事碳化硅相关的设计和研发工作，并在当年华润微成立的专门研究宽禁带化合物半导体的“设计二室”担任主任。经过多年持续不断的研究，至信微研发团队在碳化硅领域有了极其深厚技术经验的积累，在拥有成熟的工艺流程下产品良品率一直走在行业头部。

10. 至信微提升产品良率的法宝是：优选材料、针对设计、优化工艺和稳定产线。至信微在原材料碳化硅衬底的采购更是谨慎，车规级1200v／16mΩ碳化硅MOSFET产品采用Wolfspeed和II-VI公司的衬底材料为主。

11. 目前至信微衬底和外延材料会选择一些已经被证明产品稳定的企业。当然，当下国内已涌现出一批新兴碳化硅衬底及外延材料公司，他们检测与试制的结果均表明与国际品牌差距日益变小。至信微也已逐步计划使用本土碳化硅企业材料产品。

图片来源：企业官网

因为公众号平台更改了推送规则。 如果不想错过内容，记得点下“赞”和“在看”。这样每次新文章推送，就会第一时间出现在订阅号列表里。

无尽前沿投资圈是第三方独立公允的投研机构

我们对人类科学富有求知探索欲，对振兴中国科技富有使命感，对科技创业者与团队富有敬意，对新技术富有好奇心

我们为志同道合的伙伴提供各行业内不同技术路线潜在的顶级硬科技项目标的范围：高技术价值、低估值、高市场潜力、高社会价值与财务安全等

如对上述项目感兴趣的投资机构或有融资计划需要对接以上投资机构的项目，欢迎联系工作人员：微信号扫下方二维码，我们将为您提供更优质的服务。此外，我司在做硬科技项目种子轮、天使轮投资，欢迎投递项目BP和联系方式至邮箱：18510003210@163.com 。

申明：本文登载此出于众多机构入驻传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其描述，文章内容仅供参考。所刊载内容版权归原创作者及权利人专属所有。部分图片等内容难以找到原始出处，故文中未加以标注，如若侵犯了您的权益，请第一时间联系我们。（备注：根据网络信息收集、整理、撰写、编辑，汇聚每天顶级硬科技投融资、并购、IPO案例，转载请告知并注明文章出处为“无尽前沿投资圈”公众号）

专注探寻硬核科技项目，为投资人与企业提供专业的投融资财务服务